簡(jiǎn)單易用的 25 A 轉(zhuǎn)換器集成 NexFET™ 技術(shù)，效率比其它產(chǎn)品提高 5%，開關(guān)速度提高1.5 倍日前，德州儀器 (TI) 日前宣布推出集成FET 的業(yè)界最小型、最高效率的降壓轉(zhuǎn)換器，可為電信、網(wǎng)絡(luò)以及其它應(yīng)用提供高達(dá) 25 A 的電流。
25 A，14 V 的TPS56221 集成NexFET MOSFET且簡(jiǎn)單易用，與 SWIFT 開關(guān)轉(zhuǎn)換器同步，可在12 V 輸入至 1.3 V 輸出的高負(fù)載條件下，同時(shí)實(shí)現(xiàn)超過 200W/in3的功率密度以及超過 90% 的效率，從而可在 500 kHz 開關(guān)頻率下提供高達(dá) 25 A 的持續(xù)輸出電流。最新 TPS56121 15 A、14 V 同步開關(guān)轉(zhuǎn)換器與其它同類產(chǎn)品相比，不但可在 5 V 輸入至 1.2 V 輸出下將效率提高 3%，而且還可將開關(guān)速度提高 2 倍。
TI 電源管理業(yè)務(wù)部高級(jí)副總裁 Sami Kiriaki 指出：“板裝電源通常有很多電路，因而需要更高的功率密度與電源效率，尤其是那些在更強(qiáng)電流下工作的系統(tǒng)。這兩款新產(chǎn)品既可將我們的 SWIFT 系列產(chǎn)品延伸至更強(qiáng)電流應(yīng)用的領(lǐng)域，又可幫助我們的客戶在功率密度、效率以及熱管理方面有所突破，從而為終端設(shè)備實(shí)現(xiàn)更低的功耗和更高的可靠性�！�
TPS56221 與 TPS56121 采用熱增強(qiáng)型 5 毫米 x 6 毫米 QFN 封裝，尺寸比其它分立式解決方案小 30% ，僅為 315 mm2。這兩款器件是首批集成 TI NexFET 技術(shù)的產(chǎn)品，可提高熱性能、保護(hù)功能、效率以及可靠性。它們不但提供 300kHz、500kHz 以及 1MHz 三種可選頻率以實(shí)現(xiàn)更高的設(shè)計(jì)靈活性，而且還支持 4.5 V～14 V 的寬泛輸入電壓。
TPS56221 與 TPS56121 的主要特性與優(yōu)勢(shì)：
• 強(qiáng)電流與高效率： 4.5 V～14 V 輸入電壓時(shí)，在 25 A 與15 A 峰值負(fù)載電流下，效率可超過 90%；
• 小尺寸與更高功率密度：總體解決方案尺寸僅為315 mm2，可將封裝最大限度地縮小，同時(shí)實(shí)現(xiàn)超過 200 W/in3 的功率密度；
NexFET 功率塊支持多相位 50 A、100 A 及更強(qiáng)電流
除 SWIFT 轉(zhuǎn)換器的強(qiáng)電流性能之外，TI去年推出的 CSD86350Q5D NexFET 功率塊還可在更強(qiáng)電流下實(shí)現(xiàn)高效率的多相位負(fù)載點(diǎn)設(shè)計(jì)。小巧的 5 毫米 x 6 毫米堆棧型 MOSFET 采用接地引線框架 SON 封裝，支持高達(dá) 1.5 MHz 的頻率，可降低熱阻抗并簡(jiǎn)化布局。CSD86350Q5D在 25 A 電流下效率超過 90%，且還能與 TI 的 TPS40140 堆�？刂破飨嘟Y(jié)合，在保持整個(gè)負(fù)載高效率的同時(shí)，支持多相位設(shè)計(jì)；其電流可擴(kuò)展至 50 A、100 A 以及更高。
廣泛的降壓轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品系列
TI 可提供業(yè)界最廣泛的降壓轉(zhuǎn)換器，其中包括集成FET 的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、支持外部 MOSFET 的 TPS40K™ DC/DC 控制器以及全面集成型電源解決方案，如集成電感器的最新 TPS84620 等。
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